MRAM: 告别你的内存和硬盘

yuchen_zhou

MRAM厂商各显神通，期望04年内推出产品

九十年代末，一些激进的业界人士宣称基于操纵电子自旋(electron spin)的存储芯片技术将在2004年面市。如今一年已经过半，MRAM(magnetic-RAM)的样片还没有出现，但是一些公司仍然表示他们的MRAM规划运作良好。

“对于我们的主要MRAM专利授权客户摩托罗拉的Freescale半导体和赛普拉斯(Cypress)来说，似乎不存在大的商业化障碍。”NVE公司首席执行官Daniel Baker表示，“摩托罗拉公司正在进行产品工程，并表示他们计划在2004年晚些时候开始试产。Cypress公司已经表示他们能‘在任何时候’推出样片，但在此之前他们想要减少软错误率(soft-error rate)。”

NVE公司最近开发出的一项基于转移自旋动量、从电子流到MRAM单元的写数据技术被授予了专利，该技术是和Cornell大学的Nanoscale Systems中心共同研发。

业界对MRAM技术的开发正如火如荼，NEC公司和东芝公司正在合作研究磁隧道接合(magnetic tunnel junction)技术。NEC公司在2003年的国际固态电路会议(International Solid-State Circuits Conference)上描述一个512 kb的MRAM原型。IBM公司和英飞凌公司也在联合规划开发技术，而Honeywell公司与摩托罗拉公司共同从事magnetoresistive RAM军事项目的开发。同时，三星电子和夏普公司也在从事MRAM技术的研发。

当前MRAM研究的目标是减少写数据需要的功率，并且寻找孤立相邻单元的方法，这样可以不使数据之间相互作用并且出现误用。

与此同时，Honeywell公司已开发出一项rad-hard硅绝缘体技术，并且希望能在芯片上集成MRAM，为空间应用提供一种高可靠度的解决方案

这项技术的在产品中的成功实施将会带来数据存储的划时代变革。届时，不仅Single-Chip-Computer（单一集成电路电脑）会成为可能。而且，现在电脑中的硬盘和内存将可以统一为一块数据存储区。硬盘和内存的区别将不复存在。