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发表于 2007-8-11 11:00:55
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HY57V28820AT-H,-H表示这是符合PC-133规范的内存,CAS参数为3,也就是原来的T75。封装形式为TSOP。HY57指的是现代SDRAM颗粒,V指的是COMS工艺3.3电压。后面跟的28意思指的是128Mb、4K的刷新。也就是这个颗数的组织形式是*8。也就是16M * 8的颗粒。
GM72V66841XT7J,原LGS的,后与HY公司的内存部门合并,这片内存是10ns的,PC100,64M的SDRAM内存
下面是识别方法:
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示带宽。
f表示界面,0—LVTTL; 1—SSTL(3); 2—SSTL_2.
g表示版本号,B—第三代。
h表示电源功耗, L—低功耗; 空白—普通型。
ii表示封装形式, TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度,7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例:1) HY57V651620B TC-75
按照解释该内存条应为:SDRAM, 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解释该内存条应为:SDRAM, 3.3V, 64M, 143MHZ |
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